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Hochspannungstransistor im TO-3 Gehäuse
NPN
Maximum collector power dissipation (Pc), W: 85
Maximum collector-base voltage |Ucb|, V: 330
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 120
Maximum emitter-base voltage |Ueb|, V: 10
Maximum collector current |Ic max|, A: 7
Maksimalna temperatura (Tj), °C: 200
Transition frequency (ft), MHz: 5
Forward current transfer ratio (hFE), min: 15


Ideal für Ablenkeinheiten und HF-Stufen

Schlagworte:

Transistor  NPN  Hochspannung  TO-3